casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD19536KTT
codice articolo del costruttore | CSD19536KTT |
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Numero di parte futuro | FT-CSD19536KTT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD19536KTT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DDPAK/TO-263-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD19536KTT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD19536KTT-FT |
CSD17556Q5BT
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