casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSN1N45BBU
codice articolo del costruttore | SSN1N45BBU |
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Numero di parte futuro | FT-SSN1N45BBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SSN1N45BBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±50V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSN1N45BBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSN1N45BBU-FT |
VN2410L-G
Microchip Technology
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
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EP2AGX125DF25C5N
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