casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VP3203N3-G
codice articolo del costruttore | VP3203N3-G |
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Numero di parte futuro | FT-VP3203N3-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VP3203N3-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 650mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 740mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP3203N3-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VP3203N3-G-FT |
IRF5804TR
Infineon Technologies
IRF5804TRPBF
Infineon Technologies
IRF5805
Infineon Technologies
IRF5805TR
Infineon Technologies
IRF5805TRPBF
Infineon Technologies
IRF5806
Infineon Technologies
IRF5806TRPBF
Infineon Technologies
SI3443DVTRPBF
Infineon Technologies
SI3493DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
TPC6006-H(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel