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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K411TU(TE85L,F

Name: SSM6K411TU(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K411TU(TE85L,F
Availability: InStock
Rating: 4.9 (128 reviews)

Numero parte MFG: SSM6K411TU(TE85L,F

quantità disponibile: 10560 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIV MOSFET N-CH 20V 10A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSM6K411TU(TE85L,F.pdf

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SSM6K411TU(TE85L,F specificazioni

codice articolo del costruttore	SSM6K411TU(TE85L,F
Numero di parte futuro	FT-SSM6K411TU(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
SSM6K411TU(TE85L,F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	UF6
Pacchetto / caso	6-SMD, Flat Leads
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6K411TU(TE85L,F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSM6K411TU(TE85L,F-FT

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