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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008(TE12L,QM)

Name: TPCC8008(TE12L,QM)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8008(TE12L,QM)
Price: 0.34944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (41 reviews)

Numero parte MFG: TPCC8008(TE12L,QM)

quantità disponibile: 46090 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.34944

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIV MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPCC8008(TE12L,QM).pdf

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TPCC8008(TE12L,QM) specificazioni

codice articolo del costruttore	TPCC8008(TE12L,QM)
Numero di parte futuro	FT-TPCC8008(TE12L,QM)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TPCC8008(TE12L,QM) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8008(TE12L,QM) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPCC8008(TE12L,QM)-FT

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