casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM3J35AFS,LF
codice articolo del costruttore | SSM3J35AFS,LF |
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Numero di parte futuro | FT-SSM3J35AFS,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVII |
SSM3J35AFS,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 42pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSM |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3J35AFS,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM3J35AFS,LF-FT |
SSM3K15AMFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J56MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K37MFV,L3F
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SSM3J15FV,L3F
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SSM3J35MFV,L3F
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SSM3J35AMFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J36MFV,L3F
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SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K35MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K36MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel