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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36MFV,L3F

Name: SSM3J36MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J36MFV,L3F
Availability: InStock
Rating: 4.5 (273 reviews)

Numero parte MFG: SSM3J36MFV,L3F

quantità disponibile: 18350 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSM3J36MFV,L3F.pdf

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SSM3J36MFV,L3F specificazioni

codice articolo del costruttore	SSM3J36MFV,L3F
Numero di parte futuro	FT-SSM3J36MFV,L3F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII
SSM3J36MFV,L3F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	330mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	43pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VESM
Pacchetto / caso	SOT-723
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J36MFV,L3F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSM3J36MFV,L3F-FT

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