casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SSB43LHE3/52T
codice articolo del costruttore | SSB43LHE3/52T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SSB43LHE3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SSB43LHE3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSB43LHE3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSB43LHE3/52T-FT |
ESH2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel