casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SSA33L-M3/5AT
codice articolo del costruttore | SSA33L-M3/5AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SSA33L-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SSA33L-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSA33L-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSA33L-M3/5AT-FT |
S1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel