casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1B-M3/61T
codice articolo del costruttore | S1B-M3/61T |
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Numero di parte futuro | FT-S1B-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1B-M3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1B-M3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1B-M3/61T-FT |
B230LA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B230LA-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B230LA-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B240A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B240A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B240A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B240A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B330LA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B330LA-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B330LA-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel