casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS5P10-M3/86A
codice articolo del costruttore | SS5P10-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-SS5P10-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP® |
SS5P10-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS5P10-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS5P10-M3/86A-FT |
1N4148WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel