casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4151WS-HE3-18
codice articolo del costruttore | 1N4151WS-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4151WS-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4151WS-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4151WS-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4151WS-HE3-18-FT |
GPP15G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15K-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15K-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15M-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GPP15M-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR120-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR120-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel