casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3J-M3/9AT
codice articolo del costruttore | RS3J-M3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-RS3J-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS3J-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3J-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3J-M3/9AT-FT |
RS3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL44-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS320-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS3D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSC8L45-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel