casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS36-61HE3J_B/I
codice articolo del costruttore | SS36-61HE3J_B/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SS36-61HE3J_B/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS36-61HE3J_B/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS36-61HE3J_B/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS36-61HE3J_B/I-FT |
SIDC161D170HX1SA2
Infineon Technologies
SIDC16D60SIC3
Infineon Technologies
SIDC19D60SIC3
Infineon Technologies
SIDC20D60C6
Infineon Technologies
SIDC23D120E6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC23D120F6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC23D120H6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC23D60E6X1SA4
Infineon Technologies
SIDC23D60E6YX1SA1
Infineon Technologies
SIDC24D30SIC3
Infineon Technologies
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation