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Infineon Technologies SIDC23D120H6X1SA1
- Numero parte MFG
- SIDC23D120H6X1SA1
- quantità disponibile
- 93240 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Diodi - Raddrizzatori - Singoli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SIDC23D120H6X1SA1.pdf
SIDC23D120H6X1SA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | SIDC23D120H6X1SA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SIDC23D120H6X1SA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SIDC23D120H6X1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente: media rettificata (Io) | 35A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 35A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIDC23D120H6X1SA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SIDC23D120H6X1SA1-FT |
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