casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS33HE3/9AT
codice articolo del costruttore | SS33HE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS33HE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS33HE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS33HE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS33HE3/9AT-FT |
ESH3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel