casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS32HE3_A/H
codice articolo del costruttore | SS32HE3_A/H |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SS32HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS32HE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS32HE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS32HE3_A/H-FT |
ESH3BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.