casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH3BHE3_A/I
codice articolo del costruttore | ESH3BHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-ESH3BHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ESH3BHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH3BHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH3BHE3_A/I-FT |
SL44-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS33-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS33-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS33-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel