casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS315 R7G
codice articolo del costruttore | SS315 R7G |
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Numero di parte futuro | FT-SS315 R7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS315 R7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS315 R7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS315 R7G-FT |
HS3K M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3M M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3M R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5A M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5B M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5D M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5F M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5F R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5G M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel