casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS5F M6G
codice articolo del costruttore | HS5F M6G |
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Numero di parte futuro | FT-HS5F M6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS5F M6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS5F M6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS5F M6G-FT |
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK84C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK85C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK85C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK86C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK86C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SKL13B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SKL13BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SKL13BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel