casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RSFJLHM2G
codice articolo del costruttore | RSFJLHM2G |
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Numero di parte futuro | FT-RSFJLHM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RSFJLHM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSFJLHM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSFJLHM2G-FT |
SS34L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
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