casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS26-E3/52T
codice articolo del costruttore | SS26-E3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-SS26-E3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS26-E3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS26-E3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS26-E3/52T-FT |
SS16-E3/51T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS19-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel