casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS19-E3/5AT
codice articolo del costruttore | SS19-E3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS19-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS19-E3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS19-E3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS19-E3/5AT-FT |
ES1A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel