casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS25L RTG
codice articolo del costruttore | SS25L RTG |
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Numero di parte futuro | FT-SS25L RTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS25L RTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS25L RTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS25L RTG-FT |
SS19L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.