casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS19L MTG
codice articolo del costruttore | SS19L MTG |
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Numero di parte futuro | FT-SS19L MTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS19L MTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS19L MTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS19L MTG-FT |
S1MLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation