casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1GHE3/5AT
codice articolo del costruttore | RS1GHE3/5AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RS1GHE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1GHE3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1GHE3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1GHE3/5AT-FT |
US1K-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1K-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1K-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ040-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ040HM3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ060-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation