casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS24S-61HE3J_A/I
codice articolo del costruttore | SS24S-61HE3J_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SS24S-61HE3J_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS24S-61HE3J_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS24S-61HE3J_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS24S-61HE3J_A/I-FT |
SIDC07D60AF6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC07D60E6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC07D60F6X1SA2
Infineon Technologies
SIDC08D120F6X1SA3
Infineon Technologies
SIDC08D120H6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC08D60C6
Infineon Technologies
SIDC08D60C6Y
Infineon Technologies
SIDC09D60E6 UNSAWN
Infineon Technologies
SIDC09D60E6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC09D60E6YX1SA1
Infineon Technologies
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel