casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS210L MHG
codice articolo del costruttore | SS210L MHG |
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Numero di parte futuro | FT-SS210L MHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS210L MHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS210L MHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS210L MHG-FT |
SS110LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel