casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS115L MQG
codice articolo del costruttore | SS115L MQG |
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Numero di parte futuro | FT-SS115L MQG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS115L MQG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS115L MQG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS115L MQG-FT |
S1ALHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ALHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel