casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS115L MQG
codice articolo del costruttore | SS115L MQG |
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Numero di parte futuro | FT-SS115L MQG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS115L MQG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS115L MQG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS115L MQG-FT |
S1ALHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ALHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel