casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1DHE3/5AT
codice articolo del costruttore | ES1DHE3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-ES1DHE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1DHE3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DHE3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1DHE3/5AT-FT |
US1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel