casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS1H10HE3_B/I
codice articolo del costruttore | SS1H10HE3_B/I |
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Numero di parte futuro | FT-SS1H10HE3_B/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SS1H10HE3_B/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA (DO-214AC) |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H10HE3_B/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS1H10HE3_B/I-FT |
VS-2EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel