casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS1H10HE3_B/H
codice articolo del costruttore | SS1H10HE3_B/H |
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Numero di parte futuro | FT-SS1H10HE3_B/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SS1H10HE3_B/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA (DO-214AC) |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H10HE3_B/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS1H10HE3_B/H-FT |
S1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRA140TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation