casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1BHE3/61T
codice articolo del costruttore | ES1BHE3/61T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ES1BHE3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1BHE3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BHE3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1BHE3/61T-FT |
US1A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel