casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS14-6605HE3J_A/H
codice articolo del costruttore | SS14-6605HE3J_A/H |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SS14-6605HE3J_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS14-6605HE3J_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS14-6605HE3J_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS14-6605HE3J_A/H-FT |
SIDC05D60C6X1SA2
Infineon Technologies
SIDC06D120E6X1SA3
Infineon Technologies
SIDC06D120F6X1SA2
Infineon Technologies
SIDC06D120H6X1SA4
Infineon Technologies
SIDC06D60AC6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC06D60C6
Infineon Technologies
SIDC06D60E6X1SA3
Infineon Technologies
SIDC06D60F6X1SA3
Infineon Technologies
SIDC07D60AF6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC07D60E6X1SA1
Infineon Technologies
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel