casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SIDC06D120F6X1SA2
codice articolo del costruttore | SIDC06D120F6X1SA2 |
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Numero di parte futuro | FT-SIDC06D120F6X1SA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIDC06D120F6X1SA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDC06D120F6X1SA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIDC06D120F6X1SA2-FT |
SBE801-TL-H
ON Semiconductor
SBH15-03-TR-E
ON Semiconductor
SBLB1030-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBM30-03-TR-E
ON Semiconductor
SBR2535
Microsemi Corporation
SBR2540
Microsemi Corporation
SBR2545
Microsemi Corporation
SBR3035
Microsemi Corporation
SBR3040
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel