casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS2BA M2G
codice articolo del costruttore | HS2BA M2G |
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Numero di parte futuro | FT-HS2BA M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS2BA M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS2BA M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS2BA M2G-FT |
SK26AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK315AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel