casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS110L R3G
codice articolo del costruttore | SS110L R3G |
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Numero di parte futuro | FT-SS110L R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS110L R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS110L R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS110L R3G-FT |
ES1DLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel