casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS110L R3G
codice articolo del costruttore | SS110L R3G |
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Numero di parte futuro | FT-SS110L R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS110L R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS110L R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS110L R3G-FT |
ES1DLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel