casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1GL RUG
codice articolo del costruttore | ES1GL RUG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1GL RUG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1GL RUG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1GL RUG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1GL RUG-FT |
SS25LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel