casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS10P6-M3/86A
codice articolo del costruttore | SS10P6-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-SS10P6-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP® |
SS10P6-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 7A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 7A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS10P6-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS10P6-M3/86A-FT |
1N4151WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel