casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRAS2030HMNG
codice articolo del costruttore | SRAS2030HMNG |
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Numero di parte futuro | FT-SRAS2030HMNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAS2030HMNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAS2030HMNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRAS2030HMNG-FT |
TPAR3D S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAR3J S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAU3G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPMR10G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSP15H120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB10U45S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB15U45S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB15U50S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB5H120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB5H150S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel