casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRA16100HC0G
codice articolo del costruttore | SRA16100HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRA16100HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRA16100HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA16100HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRA16100HC0G-FT |
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS416,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS417,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS417CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS416CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSR01S30SC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XBS013S16R-G
Torex Semiconductor Ltd
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel