casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRA16100HC0G
codice articolo del costruttore | SRA16100HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRA16100HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRA16100HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA16100HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRA16100HC0G-FT |
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS416,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS417,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS417CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS416CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSR01S30SC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XBS013S16R-G
Torex Semiconductor Ltd
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel