casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1SS413,L3M
codice articolo del costruttore | 1SS413,L3M |
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Numero di parte futuro | FT-1SS413,L3M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1SS413,L3M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 50mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 3.9pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | fSC |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS413,L3M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1SS413,L3M-FT |
RGP20D-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel