casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR809HB0G
codice articolo del costruttore | SR809HB0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR809HB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR809HB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR809HB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR809HB0G-FT |
SF61GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel