casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR309 B0G
codice articolo del costruttore | SR309 B0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR309 B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SR309 B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR309 B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR309 B0G-FT |
1N5407GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5408G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5408GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR302G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR303G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR304G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR305G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel