casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 31DF4 R0G
codice articolo del costruttore | 31DF4 R0G |
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Numero di parte futuro | FT-31DF4 R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
31DF4 R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
31DF4 R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 31DF4 R0G-FT |
SR206 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR206HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR220 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR220HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel