casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR110HA0G
codice articolo del costruttore | SR110HA0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR110HA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR110HA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR110HA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR110HA0G-FT |
SF14GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF15G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF15G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF15G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF15GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF15GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF15GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF16G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF16G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF16G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel