casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIR440DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIR440DP-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIR440DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIR440DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR440DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR440DP-T1-GE3-FT |
SI7388DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7390DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7392ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7392ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7392DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7430DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7434ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SI7439DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7439DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel