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Advanced Linear Devices Inc. ALD111933SAL

Numero parte MFG
ALD111933SAL
quantità disponibile
12260 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.048
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Data di spedizione
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fabbricante
Advanced Linear Devices Inc.
Breve descrizione
EPAD® MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore ALD111933SAL
Numero di parte futuro FT-ALD111933SAL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie EPAD®
ALD111933SAL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.35V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD111933SAL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ALD111933SAL-FT

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