casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUM85N15-19-E3
codice articolo del costruttore | SUM85N15-19-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUM85N15-19-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUM85N15-19-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM85N15-19-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUM85N15-19-E3-FT |
SIRA52ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA58DP-T1-GE3
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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