casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQD50P08-28_GE3
codice articolo del costruttore | SQD50P08-28_GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SQD50P08-28_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD50P08-28_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6035pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD50P08-28_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQD50P08-28_GE3-FT |
SIHP25N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP22N60AEL-GE3
Vishay Siliconix
SIHP22N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP30N60AEL-GE3
Vishay Siliconix
SIHP11N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP12N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel